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[实用新型]带箝位功能的达林顿晶体管-CN201020213332.5无效
发明人：龚利汀;钱晓平;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种达林顿晶体管，尤其是一种带筘位功能的达林顿晶体管，属于半导体晶体管的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述带有箝位功能的达林顿晶体管，包括带阻尼的达林顿晶体管，所述带有阻尼的达林顿晶体管的基极与集电极间设有双极型晶体管，所述双极型晶体管的集电极与带阻尼的达林顿晶体管的集电极相连，双极型晶体管的发射极与带阻尼的达林顿晶体管的基极相连。本实用新型利用双极型晶体管的集电极与达林顿晶体管的集电极相连，双极型晶体管的发射极与达林顿晶体管的基极相连，能够达到对达林顿晶体管的电位箝位的功能；稳压效果好，加工操作简便，安全可靠。
箝位功能达林顿晶体管

[实用新型]一种无刷直流电机的风机控制器-CN201820678021.2有效
发明人：郑捷 -专利权人：上海洞彻智能科技有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H02P6/08 文献下载
摘要：一种无刷直流电机的风机控制器，包括：控制芯片和驱动风机的H桥驱动电路；风机包括U控制端和V控制端，H桥驱动电路包括供电端VDD、接地端GND和四个达林顿晶体管；第一达林顿晶体管和第三达林顿晶体管的集电极分别与风机的U控制端连接，第一达林顿晶体管的发射极与供电端VDD连接，第一达林顿晶体管的基极通过电阻R2与供电端VDD连接，第三达林顿晶体管的发射极与接地端GND连接；第二达林顿晶体管和第四达林顿晶体管的集电极分别与风机的V控制端连接，第二达林顿晶体管的发射极与供电端VDD连接，第二达林顿晶体管的基极通过电阻R3与供电端VDD连接，第四达林顿晶体管的发射极与接地端GND连接。
达林顿晶体管供电端发射极控制端接地端风机无刷直流电机风机控制器集电极电阻控制芯片驱动风机高效性

[发明专利]达林顿管放大器电路-CN200910202073.8无效
发明人：陈俊 -专利权人：锐迪科科技有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种达林顿管放大器电路，包括一个达林顿管，所述达林顿管中包括两个晶体管，前一个晶体管的信号输出端连接后一个晶体管的信号输入端，所述前一个晶体管的信号输出端与后一个晶体管的信号输入端之间还连接有一个隔离电容，所述两个晶体管的输入端都连接有偏置电路，所述偏置电路对两个晶体管的信号输入端独立进行调节。本发明通过在达林顿管的两个晶体管中间增加隔离电容，同时为两个晶体管设置独立的偏置电路，扩大了达林顿电路结构偏置电压的可调范围，并且增大了达林顿电路的电压适用范围。
达林顿管放大器电路

[实用新型]一种基于场效应管的达林顿二阶矩阵放大器-CN201822188444.9有效
发明人：林倩;邬海峰;张晓明;朱琳 -专利权人：青海民族大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于场效应管的达林顿二阶矩阵放大器，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一达林顿晶体管、第二达林顿晶体管、第三达林顿晶体管、第四达林顿晶体管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的馈电网络，本实用新型核心架构采用第一至第四达林顿型晶体管组成的二阶矩阵放大网络，使得整个功率放大器获得了良好的宽带高增益和高功率输出能力。
二阶矩阵达林顿晶体管达林顿放大器本实用新型场效应管平衡网络输出合成网络高功率输出功率放大器核心架构馈电网络输入分配高增益晶体管宽带放大

[发明专利]一种具有超宽带高功率的达林顿二阶矩阵放大器-CN201811595201.5在审
发明人：林倩;邬海峰;张晓明;朱琳 -专利权人：青海民族大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超宽带高功率的达林顿二阶矩阵放大器，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一达林顿晶体管、第二达林顿晶体管、第三达林顿晶体管、第四达林顿晶体管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的馈电网络，本发明核心架构采用第一至第四达林顿型晶体管组成的二阶矩阵放大网络，使得整个功率放大器获得了良好的宽带高增益和高功率输出能力。
二阶矩阵达林顿晶体管达林顿放大器平衡网络输出合成超宽带高功率网络高功率输出功率放大器核心架构馈电网络输入分配高增益晶体管宽带放大

[实用新型]一种基于多路达林顿晶体管阵列的改进电路-CN201720106134.0有效
发明人：杨建华;况澄;应天力 -专利权人：天津富瑞福莱科技发展有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：一种基于多路达林顿晶体管阵列的改进电路，包含达林顿晶体管阵列，控制单元，供电直流电源，感性负载，其特征是所述一种基于多路达林顿晶体管阵列的改进电路中，达林顿管阵列内部续流二极管公共端分别连接一个接地开关（K1）和公共续流二极管（D1），公共续流二极管（D1）负极接感性负载的供电直流电源，接地开关（K1）闭合，达林顿晶体管阵列全驱动，接地开关（K1）断开，达林顿晶体管阵列内部各个续流二极管与公共续流二极管
一种基于多路达林顿晶体管阵列改进电路

[发明专利]光泄漏电流补偿电路以及使用该电路的光信号用电路-CN200310119625.1有效
发明人：井上高广;横川成一;川岛亮介 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-11-04 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明的光泄漏电流补偿电路具有发射极与达林顿电路的第1个PNP晶体管的集电极连接、集电极接地的第3个PNP晶体管，以及第3个PNP晶体管的基极与集电极连接、基极和发射极彼此相连的第4个NPN晶体管。由于用集电极电流补偿达林顿电路的光泄漏电流，因此可以高精度补偿光泄漏电流Ileak。并且通过形成由具有和达林顿电路的晶体管大致相同面积的N型外延层的第3个PNP晶体管以及第4个NPN晶体管组成的补偿电路使得光的影响变的与达林顿电路相同，可以抑制补偿电路的芯片面积。
泄漏电流补偿电路以及使用信号用电

[发明专利]静电放电保护电路-CN02147198.3有效
发明人：郑道;余定政 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2002-10-25 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护电路，其包含一NPN达林顿电路，以及一N型金属氧化物半导体晶体管。该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于该NPN达林顿电路的输入端，该N型金属氧化物半导体晶体管的源极连接于该NPN达林顿电路的控制端，该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于该NPN达林顿电路的输出端
静电放电保护电路

[实用新型]一种钳位电路以及AB放大器电路-CN201120576866.9有效
发明人：杨梅;汪月花;张键;文剑;李祥生 -专利权人：意法半导体研发(深圳)有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：更具体而言，公开了一种用于AB类放大器的钳位电路，包括参考电压电路、四个NPN达林顿晶体管、以及分裂型NPN达林顿晶体管，该四个NPN达林顿晶体管具有耦合到参考电压电路的输入和用于提供四个钳位电压的输出，该分裂型NPN达林顿晶体管具有耦合到参考电压电路的输入和用于提供四个AC接地电压的四个分离输出。
一种电路以及 ab 放大器

[发明专利]用于汽车音响的AB类功率放大器设计中的声音质量改进的输入钳位结构-CN201110461474.2有效
发明人：杨梅;汪月花;张键;文剑;李祥生 -专利权人：意法半导体研发(深圳)有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：一种用于AB类放大器的钳位电路，包括参考电压电路、四个NPN达林顿晶体管、以及分裂型NPN达林顿晶体管，该四个NPN达林顿晶体管具有耦合到参考电压电路的输入和用于提供四个钳位电压的输出，该分裂型NPN达林顿晶体管具有耦合到参考电压电路的输入和用于提供四个
用于汽车音响 ab 功率放大器设计中的声音质量改进输入结构

[发明专利]硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法-CN201710980121.0有效
发明人：王波;景媛媛;向勇军 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法，本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管包括衬底层、N型硅外延层、二氧化硅钝化层、第一极基区、电极、第一级发射区、第二级基区、第二级发射区、集电区本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的电流传输比相对于普通晶体管高出数倍，降低了后续电路的放大成本，为整机节约了体积。本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管的制作方法，采用新结构及工艺制作出了硅基高电流传输比双达林顿晶体管，其电流传输比达到2000以上，解决了现有光电三极管对氦氖激光器作光源的光电响应较低，电流传输比低的技术问题
硅基高电流传输双达林顿晶体管及其制作方法

[实用新型]一种ESD保护电路-CN201721470177.3有效
发明人：张军亮;陈利 -专利权人：福建晋润半导体技术有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种ESD保护电路，包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND，所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD。本实用新型采用GCNMOS触发达林顿晶体管来泄放ESD瞬态电流；与GGNMOS触发的达林顿晶体管相比，GCNMOS触发结构具有触发电压Vt1较GGNMOS低且易于调控的优点；本实用新型中GCNMOS对ESD瞬态电流的响应比达林顿晶体管更快，且GCNMOS在多指（multi‑fingers）结构下能够均匀开启，具有GCNMOS和达林顿晶体管两条电流泄放路径，对受保护器件的ESD保护更有效。
一种 esd 保护电路

[发明专利]用于高功率的恒定电流达林顿电路-CN200580037562.2无效
发明人：秦玉相 -专利权人：秦玉相
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率恒定电流达林顿电路，包括输入端子，其中，恒定电流达林顿电路的基极端子(B)(第一端子)连接到晶体管(Q1)的基极，晶体管(Q1)的发射极连接到电阻器(R1)的一端和晶体管(Q2)的基极，电阻器(R1)的另一端连接到晶体管(Q3)的发射极，恒定电流达林顿电路的集电极端子(C)(第二端子)连接到晶体管(Q1)的集电极和晶体管(Q2)的集电极，晶体管(Q2)的发射极连接到恒定电压源(CV1)的一端，恒定电流达林顿电路的发射极端子(E)(第三端子)直接连接到负载(LD1)，恒定电压源(CV1)的另一端连接到电阻器(R2)的一端和晶体管(Q3)的基极，并且恒定电流达林顿电路的端子(E1)(第四端子)连接到电阻器(R2)的另一端和晶体管(Q3)的集电极，从而最小化输出端子的功率损耗，本发明还公开了一种集成了该结构的半导体设备。
用于功率恒定电流达林顿电路

[实用新型]PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管-CN200820037516.3无效
发明人：龚利汀;钱晓平;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体功率晶体管技术，尤其是指一种PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管。按照本实用新型提供的技术方案，在底板上有铜块，在铜块上有管芯，在底板上设置晶体管基极的引出脚和发射极的引出脚，其特征是：所述管芯至少有3个，每个管芯分别利用内引线与晶体管基极的引出脚和发射极的引出脚连接本实用新型利用多个PNP型达林顿大功率管芯装片焊接在特大铜块的金属管座上，制造出大电流大功率的PNP型达林顿晶体管。
pnp 电流大功率芯片达林顿晶体管

[实用新型]一种温度采集及外设控制电路-CN201921834719.X有效
发明人：张叶茂;符树全;莫淑贤;刘红艳;王永宁;谭卫东 -专利权人：南宁职业技术学院
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种温度采集及外设控制电路，包括温度采集电路、单片机电路、隔离电路、达林顿晶体管矩阵驱动器和外设控制电路，其中，温度采集电路的输出端与单片机电路的输入端耦接；隔离电路包括多个相互并联的光耦合器，其输入端分别与单片机电路的输出端耦接，输出端分别与达林顿晶体管矩阵驱动器的输入端耦接；外设控制电路包括多个相互并联的继电器，其线圈端分别与达林顿晶体管矩阵驱动器的输出端耦接，常开触点分别与外设耦接。本实用新型在单片机电路与外设控制电路之间耦接有隔离电路和达林顿晶体管矩阵驱动器，达林顿晶体管矩阵驱动器带负载能力强，能够有效的避免无法驱动继电器的情况出现，隔离电路使电路安全可靠。
一种温度采集外设控制电路

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